3SK299-A datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  3SK299-A
• Производитель
  Renesas Electronics
• Описание
  Renesas Electronics 3SK299-A Mfr Package Description: PLASTIC, SO-4 Lead Free: Yes EU RoHS Compliant: Yes Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Finish: TIN BISMUTH Terminal Position: DUAL Number of Terminals: 4 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE Number of Elements: 1 Transistor Application: AMPLIFIER Transistor Element Material: GALLIUM ARSENIDE Power Dissipation Ambient-Max: 0.1200 W Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL SEMICONDUCTOR Operating Mode: DUAL GATE, DEPLETION Transistor Type: RF SMALL SIGNAL Power Gain-Min (Gp): 16 dB Drain Current-Max (ID): 0.0400 A Highest Frequency Band: ULTRA HIGH FREQUENCY BAND Feedback Cap-Max (Crss): 0.0300 pF
• Количество страниц
  6 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet 3SK299-A.pdf
Файл формата Pdf 37,31 KB